ナノエレクトロニクス用分子ワイヤーに向けた M-DNA(M=Mn, Co, Ni, Zn)複合体の作製

カテゴリ：部門大会

論文No：10P4-PS-7

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Fabrication of M-DNA (M=Mn, Co, Ni, Zn) complexes for molecular wires in nanoelectronics

著者名：後藤 明（城西大学）, 森田 勇人（城西大学）, *阪田 知巳（城西大学）

著者名(英語)：

キーワード：分子ワイヤー,M-DNA複合体,置換率,条件付き生成定数,インキュベーション濃度,molecular wire,M-DNA complexes,substitution rates,conditional formation constants,incubation concentrations

要約(日本語)：近年,ナノエレクトロニクス分野におけるコア技術の一つとして分子ワイヤーの研究が進められている。中でも,DNAをテンプレートとした配線技術は注目を集めている。その一例として,ポリアニリンの様な導電性高分子との複合体がある。これに対して,我々は,DNAの塩基対間のイミノプロトンを金属イオンに置換したM-DNA複合体に着目し,その作製について検討を行ってきたので,その結果を報告する。

要約(英語)：The M-DNA complexes were formed by substituting of imino-protons between base pairs of DNA into metal ions. The amount of M-DNA formation was quantified by taking advantage of the property that the fluorescence due to UV irradiation disappears when fluorescently stained DNA formed M-DNA. The substitution rates of each ion reached 0%, 37%, 55%, 80% for manganese, cobalt, nickel, and zinc ions, suggesting the potential for developing sensors that can identify metal ions.

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