Si 微細構造からの脱離ガスによるウェハレベルパッケージング封止圧力への影響

カテゴリ：部門大会

論文No：11A2-C-5

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Effect of Degassing from Si Microstructures on the Sealing Pressure in Wafer-Level Packaging

著者名：*足立 玖美佳（東北大学）, 鈴木 裕輝夫（東北大学）, 田中 秀治（東北大学）

著者名(英語)：

キーワード：ウェハレベルパッケージング,脱離ガス,微細構造,昇温脱離ガス分析法(TDS),MEMSプロセス,wafer-level packaging,degas,microstructures,Thermal Desorption Spectrometry (TDS),MEMS process

要約(日本語)：本研究ではSOI基板上に作製したMEMS共振子ウェハに各種表面処理プロセスを施し、TDSにより昇温した際のガス脱離挙動を評価した。H₂、H₂O、F、C₂H₄の脱離を確認し、それぞれのガスの脱離挙動が各種表面処理条件に依存することを示した。特に350℃ベークや高温水素アニールの処理により脱離量が大幅に低減し、WLP封止圧力を1桁以上下げられることを明らかにした。

要約(英語)：This study evaluated the degassing behavior of MEMS resonator wafers on SOI substrates using TDS after various surface treatments. Degassed species included H₂, H₂O, F-related species, and C₂H₄, whose release depended on treatment conditions. Especially, 350℃ baking and high-temperature hydrogen annealing markedly reduced degassing, lowering WLP sealing pressure by over one order of magnitude.

PDFファイルサイズ：830Kバイト