EBSDデータからの多結晶シリコン薄膜における六角形グリッドに基づく転位密度解析法の提案

カテゴリ：部門大会

論文No：11A3-PS-18

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Proposal of a Dislocation Density Analysis Method Based on Hexagonal Grid for Polycrystalline Silicon Thin Films Using EBSD Data

著者名：*山本 晃大（立命館大学）, 安藤 妙子（立命館大学）

著者名(英語)：

キーワード：EBSD,GND,MATLAB,転位,多結晶シリコン,EBSD,GND,MATLAB,Dislocation,Polycrystalline Silicon

要約(日本語)：本論文では,EBSDデータから幾何学的に必要な転位(GND)密度を算出する新手法として,六角形グリッド解析を提案する。従来の正方グリッド解析には,データ欠損時に解析精度が低下するという課題があった。本手法は,数値シミュレーションおよび実験データへの適用を通じて,データ欠損に対して優れた耐性を示し,より信頼性の高いGND密度推定を可能にすることを実証した。

要約(英語)：This paper proposes a new method using a hexagonal grid to calculate Geometrically Necessary Dislocation (GND) density from EBSD data, addressing the robustness limitations of conventional square-grid analysis. Through numerical simulations and application to experimental data, this approach is demonstrated to exhibit superior robustness against data loss and provide a more reliable estimation of GND density.

PDFファイルサイズ：726Kバイト