センサ用AlGaN/GaN湾曲片持ち梁デバイスの試作
センサ用AlGaN/GaN湾曲片持ち梁デバイスの試作
カテゴリ:部門大会
論文No:11A3-PS-36
グループ名:【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発行日:2025/11/3
タイトル(英語):Fabrication of curved AlGaN/GaN cantilever devices for sensing applications
著者名:*小林 碧音(東京都立大学), 長尾 宗良(東京都立大学), 中村 成志(東京都立大学)
著者名(英語):
キーワード:センサ,窒化ガリウム,湾曲片持ち梁構造,二次元電子ガス,異方性ウェットエッチング,sensor,gallium nitride,curved cantilever structure,2-dimensional electron gas,anisotropic wet etching
要約(日本語):本論文では、センシング用途に向けた湾曲AlGaN/GaNカンチレバーデバイスの作製について述べる。エッチングマスクパターンとKOHウェットプロセス耐性電極材料の最適化を行った。その結果、提案デバイスがセンサーデバイスとして有望であることを実証した。
要約(英語):This paper addresses the fabrication of curved AlGaN/GaN cantilever devices for sensing applications. Optimization of the etching mask patterns as well as electrode material resistant to KOH wet process was performed. As a result, we have demonstrated that the proposed device is promising as a sensor device.
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