圧電薄膜積層MEMSアクチュエータのためのPZT/LaNiO3/PZT構造のエピタキシャル成長

カテゴリ：部門大会

論文No：11P4-PS-1

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Epitaxial Growth of PZT/LaNiO3/PZT Structure for Piezoelectric Thin Film Multilayer MEMS Actuator

著者名：*加藤 創吉（芝浦工業大学）, 勅使河原 明彦（芝浦工業大学）, 吉田 慎哉（芝浦工業大学）

著者名(英語)：

キーワード：PZT単結晶薄膜,LNO薄膜,エピタキシャル成長,MEMSアクチュエータ,Ar エッチング,Monocrystal PZT thin film,LNO thin film,Epitaxial growth,MEMS actuators,Ar etching

要約(日本語)：本研究では、LNO薄膜を中間電極層として用いたPZT/LNO/PZT単結晶積層構造のを試みた。SRO基板上で昇温速度30℃/minの条件によりc軸配向した単結晶PZTを成膜でき、この条件をPZT上に適用したが多結晶化が生じた。原因を表面粗さと考え、PZT表面をArエッチングで平坦化した結果、LNOおよびPZTのエピタキシャル成長に成功し、単結晶積層構造を実現した。

要約(英語)：This study aimed to fabricate a PZT/LNO/PZT single-crystal multilayer structure using LNO thin film as an intermediate electrode layer.We successfully fabricated single-crystal PZT with strong c-axis orientation on SRO substrates. However, applying the same conditions to the PZT surface resulted in poly crystallization due to surface roughness. Flattening the PZT surface via Ar etching enabled epitaxial growth of both LNO and PZT.

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