高温真空環境及び熱酸化による単結晶シリコン特性比較のための引張試験の研究

カテゴリ：部門大会

論文No：11P4-PS-21

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Study on Tensile Testing for Comparison of Single-Crystal Silicon Properties under High-Temperature Vacuum Environment and Thermal Oxidation

著者名：*鹿嶋 優平（立命館大学）, 安藤 妙子（立命館大学）

著者名(英語)：

キーワード：単結晶シリコン,熱酸化,引張試験,高温環境,マイクロスケール,Single-crystal silicon,thermal oxidation,Tensile test,high-temperature environment,microscale

要約(日本語)：高温真空環境と熱酸化の影響に焦点を当て、マイクロスケール単結晶シリコンの機械的特性を調査するため引張試験を実施した。高温真空環境下では、300℃以上で強度が低下し始めた。熱酸化では、酸化時間5時間までは強度が増加したが、10時間を超えると強度が低下した。

要約(英語)：I conducted tensile tests to investigate the mechanical properties of microscale single- crystal silicon、 focusing on the effects of high-temperature vacuum environments and thermal oxidation。 In the high-temperature vacuum environment、 the strength began to decrease above 300 °C。 With thermal oxidation 、 the strength increased with oxidation up to 5 hours but decreased when the oxidation time exceeded 10 hours。

PDFファイルサイズ：527Kバイト