白金担持酸化タングステン薄膜を用いた抵抗変化型水素センサデバイスの最適化

カテゴリ：部門大会

論文No：11P4-PS-43

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Optimization of chemiresistive hydrogen sensor device using a thin film of tungsten oxide supported by platinum

著者名：*箱嶋 紗希（横浜国立大学）, 岡崎 慎司（横浜国立大学）, 笠井 尚哉（横浜国立大学）

著者名(英語)：

キーワード：抵抗変化型水素センサ,白金担持酸化タングステン,常温動作,多点センシング,電気特性,Chemiresisitive hydrogen sensor,platinum-supported tungsten oxide,Room temperature operation,Multipoint sensing,electrical property

要約(日本語)：本論文では、多点水素検知システムを実現するため、白金担持酸化タングステン薄膜を用いた抵抗変化型水素センサデバイスについて論じる。前駆体溶液はゾルゲル法により調製し、薄膜は石英ガラス基板上の櫛型電極上に固定化した。センサデバイスの応答特性を評価し、作製条件を最適化した。実験結果より、抵抗が膜厚に依存することや、白金電極の触媒活性が良好な水素応答を得るための重要な要素の一つであることも結論づけられた。

要約(英語)：This paper addresses a chemiresistive hydrogen sensor device using a thin film of platinum-supported tungsten oxide to realize a multi-point hydrogen detection system. The film was prepared by a sol-gel method and immobilized on interdigital electrodes on a quartz glass substrate. Experimental results revealed electrical properties such as resistance dependent on the film thickness and the catalytic activity of Pt electrodes is one of the important factors for obtaining good hydrogen response.

PDFファイルサイズ：1,218Kバイト