SiN製多孔膜を用いた血液脳関門モデルにおける共培養条件の検討
SiN製多孔膜を用いた血液脳関門モデルにおける共培養条件の検討
カテゴリ:部門大会
論文No:12P2-PS-110
グループ名:【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
発行日:2025/11/3
タイトル(英語):Investigation of Co-culture Condition in a Blood-Brain Barrier Model Using a SiN Microporous Membrane
著者名:*中村 滉宏(九州工業大学), 安田 隆 (九州工業大学)
著者名(英語):
キーワード:多孔膜,窒化シリコン,血液脳関門,脳血管内皮細胞,経内皮電気抵抗,Porous membrane,Silicon nitride,Blood-brain barrier,Brain endothelial cell,Transendothelial electrical resistance
要約(日本語):SiN製多孔膜の下面にペリサイトを培養した後に、膜上面に脳血管内皮細胞(RBEC)を培養することで血液脳関門(BBB)モデルを構築し、経内皮電気抵抗(TEER)を計測してバリア機能を評価した。ペリサイト播種からRBEC播種までの時間間隔を短縮することで、微小孔を通じたペリサイトの膜上面側への侵入を防ぐことができ、これにより共培養時のTEERがRBEC単培養時の約2倍に増加することが分かった。
要約(英語):A BBB model was built by culturing pericytes beneath and RBECs above a SiN porous membrane. Shortening the interval between seeding prevented pericyte invasion through micropores, resulting in a co-culture TEER about twice as high as that of RBEC monoculture, indicating enhanced barrier function.
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