シリコン犠牲層のXeF2リリースエッチングレート可視化のためのテスト構造

カテゴリ：部門大会

論文No：12P2-PS-68

グループ名：【E】第42回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム

発行日：2025/11/3

タイトル(英語)：Test Structure for Visualizing the XeF₂ Release Etch Rate of Silicon Sacrificial Layers

著者名：*水島 彩子（東京大学）, 島本 直伸（東京大学）, 太田 悦子（東京大学）, 三田 吉郎（東京大学）

著者名(英語)：

キーワード：MEMS,XeF2エッチング,犠牲層除去,SiO2,0,MEMS,XeF2 etching,removing sacrificial layers,SiO2,0

要約(日本語)：XeF2を用いたシリコン等方性エッチングは、MEMSデバイス作製プロセスにおいて、犠牲層を除去し自立した構造を作製するために有用な手段である。本研究ではこのリリースエッチングの進捗確認を容易にするテスト構造について検討した。応力制御とアニール処理を施したSiO2層を用いることにより、簡便に可視化できる構造を提案した。

要約(英語)：Isotropic silicon etching using XeF₂ is an essential technique in MEMS device fabrication processes for removing sacrificial layers and creating freestanding structures. In this study, we investigated test structures designed to facilitate monitoring of the progress of this release etching.

PDFファイルサイズ：846Kバイト