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カンチレバー型化学センサのオンチップ温度センサによる温度補償

カンチレバー型化学センサのオンチップ温度センサによる温度補償

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS10013

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2010/06/17

タイトル(英語): Frequency-drift compensation of a cantilever sensor using on-chip thermometer

著者名: 池原 毅(産業技術総合研究所),村上 直(産業技術総合研究所),昆野 舜夫(産業技術総合研究所),布川 正史(信州大学),木村 睦(信州大学),三原 孝士(オリンパス)

著者名(英語): Ikehara Tsuyoshi(AIST),Murakami Sunao(AIST),Konno Mitsuo(AIST),Fukawa Tadashi(Shinshu University),Kimura Mutsumi(Shinshu University),Mihara Takashi(Olympus Corporation)

キーワード: 化学センサ|カンチレバー|シリコン|温度補償|共振周波数|温度センサ|chemical sensor|cantilever|silicon|temperature compensation|resonant frequency|temperature sensor

要約(日本語): カンチレバー型化学センサは集積化などの利点があるが、シリコン材料が弾性に温度係数を持つため、温度変化によるドリフトが発生する。その補償を行うため、チップ上にp-n接合ダイオードを搭載し、ダイオードの順方向電流を測定することで0.01℃以下の精度で温度変化測定が可能となった。VOCセンシングではキャリアガスを流すためセンサの温度変化が発生するが、温度補償によりドリフトを抑えることに成功した。

要約(英語): Cantilever-type chemical sensors show frequency drift by temperature changes. We compensated the temperature effect on resonant frequency using an integrated p-n junction diode on the same chip. High accuracy below 0.01C made possible to compensate the frequency drift during the VOC sensing.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,001 Kバイト

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