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層状半導体CuFeTe2を用いた酸素センサの開発

層状半導体CuFeTe2を用いた酸素センサの開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS11003

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2011/06/30

タイトル(英語): Oxygen Gas Sensor Using Layered Semicondur CuFeTe2

著者名: 神崎 雅俊(九州大学),竹之下 翔吾(九州大学),栗焼 久夫(九州大学),都甲 潔(九州大学)

著者名(英語): Kozaki Masatoshi(Kyushu University),Takenoshita Shogo(Kyushu University),Kuriyaki Hisao(Kyushu University),Toko Kiyoshi(Kyushu University)

キーワード: 酸素センサ|層状半導体|インターカレーション

要約(日本語): 層状半導体CuFeTe2は酸素分子を選択的にインターカレーションすることで、層間(ファンデル・ワールス・ギャップ)に垂直方向の電気抵抗率が増大する。そこで雰囲気の酸素分圧に対応して可逆的にこの電気抵抗率が変化することを利用した室温動作型酸素センサの開発を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 809 Kバイト

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