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金属酸化物半導体ガスセンサとクローズドループ制御による応答特性

金属酸化物半導体ガスセンサとクローズドループ制御による応答特性

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS13004

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2013/08/08

タイトル(英語): Effect examination on reply properties by a Metal Oxide Semiconductor Gas Sensor and the Closed Loop Control

著者名: 寺田 二郎(大阪工業大学),平原 陽介(大阪工業大学),大松 繁(大阪工業大学),矢野 満明(大阪工業大学),佐々 誠彦(大阪工業大学)

著者名(英語): Terada Jiro(Faculty of Engineering,Osaka Institute of Technology),Hirahara Youshuke(Faculty of Engineering,Osaka Institute of Technology),Omatu Sigeru(Faculty of Engineering,Osaka Institute of Technology),Yano Mitsuaki(Faculty of Engineering,Osaka Institute of Technology),Sasa Shigehiko(Faculty of Engineering,Osaka Institute of Technology)

キーワード: 金属酸化物|半導体|ガス|センサ|セラミックス|metal oxide|semiconductor|gas|sensor|ceramics

要約(日本語): 本論文は匂いガスセンサに関するもので、匂い識別を示すセンサ及びデバイスの検知特性について検討したものである。検知素子はMgCr2O4-TiO2系のP型金属酸化物半導体からなり、多孔質のセラミックスで構成している。本文は特に感度と応答性について記述している。

要約(英語): This article relates to a gas sensor element. The contents examined the detective characteristic about a sensor indicating thesmell identification and the device. A sensing element is the contents which added an additivein the Metal Oxide Semiconductor of the P type of MgCr2O4-TiO2. The sensing element composed it of porous ceramics and was able to confirm the effect of gas detection properties. It described sensitivity in particular and responsiveness.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 716 Kバイト

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