分子鋳型ゲルをゲートに配した電界効果トランジスタによる選択的糖センシング
分子鋳型ゲルをゲートに配した電界効果トランジスタによる選択的糖センシング
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: CHS15042
グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会
発行日: 2015/07/03
タイトル(英語): Selective sugar sensing by molecular imprinting gel gate-field effect transistor
著者名: 加治佐 平(PROVIGATE),坂田 利弥(東京大学大学院)
著者名(英語): Taira Kajisa(PROVIGATE Inc.),Toshiya Sakata(The University of Tokyo)
キーワード: 電界効果トランジスタ|分子鋳型ゲル|ゲート表面電位|サッカライド|field effect transistor|molecular imprinting gel|gate surface potential|saccharides
要約(日本語): 構造と機能の多様性を有する糖や糖鎖の中から目的の糖を特異的にかつ高感度に検出するために、本研究では、ゲート電極上に分子鋳型ゲルを配した電界効果トランジスタ(FET)にを用いて糖基質選択的なセンサの基本特性を明らかにした。グルコース鋳型ゲルゲートFETのゲート表面電位はグルコースを添加した時に100 μM程度から応答して変化した一方で、フルクトースやスクロースを添加してもほとんど変化が観察されなかった。
要約(英語): Field effect transistor modified with the molecular imprinting gel which was templated by the target sugar on the gate electrode clearly showed gate surface potential changes only when the target sugar was added, while did not showed so much at the time of the other sort of sugars addition.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,169 Kバイト
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