スパッタエピタキシー法によって成長したZnO単結晶層の水素ガス応答の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS17030

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2017/11/28

タイトル(英語): Study on Hydrogen Gas Response of Single-crystalline ZnO layer grown by sputter epitaxy

著者名: 安藤 毅(東京電機大学),藤川 明日香(東京電機大学),信太 智貴(東京電機大学),小倉 康平(東京電機大学),水野 愛(東京電機大学),篠田 宏之(東京電機大学),六倉 信喜(東京電機大学)

著者名(英語): Ki Ando(Tokyo Denki University),Asuka Fujikawa(Tokyo Denki University),Tomoki Shinta(Tokyo Denki University),Kohei Ogura(Tokyo Denki University),Ai Mizuno(Tokyo Denki University),Hiroyuki Shinoda(Tokyo Denki University),Nobuki Mutsukura(Tokyo Denki University)

キーワード: ガスセンサ|水素センサ|ＺｎＯ|スパッタエピタキシー|単結晶層|半導体デバイス|gas sensor|hydrogen sensor|zinc oxide|sputter epitaxy|single-crystalline layer|semiconductor device

要約(日本語): 本研究では，高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，サファイア基板上にエピタキシャル成長させたZnO(酸化亜鉛)単結晶層の，水素ガス応答を検討した。数百度に加熱したZnO層は，雰囲気ガスが大気から水素4%含有の窒素ガスに変化した際に，抵抗値が低下し水素ガスに対して応答を示した。

要約(英語): In this study, we studied on hydrogen gas response of single-crystalline ZnO layer on sapphire substrate grown by RF magnetron sputter epitaxy method. In the result, ZnO layer heated to 300 degree showed decreasing of its resistance at the time of ambient atmosphere change from air to nitrogen gas it contained 4% hydrogen gas.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,161 Kバイト