スパッタ成長ZnO単結晶層の水素ガス応答における温度依存性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS18018

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2018/07/13

タイトル(英語): Dependence on work temperature for hydrogen gas response of single-crystalline ZnO layer grown by sputter epitaxy

著者名: 久米井 俊哉(東京電機大学),渡邊 有香(東京電機大学),安藤 毅(東京電機大学),水野 愛(東京電機大学),篠田 宏之(東京電機大学),六倉 信喜(東京電機大学)

著者名(英語): Toshiya Kumei(Tokyo Denki University),Arika Watanabe(Tokyo Denki University),Ki Ando(Tokyo Denki University),A-i Mizuno(Tokyo Denki University),Hiroyuki Shinoda(Tokyo Denki University),Nobuki Mutsukura(Tokyo Denki University)

キーワード: ガスセンサ　|水素センサ|ＺｎＯ|スパッタエピタキシー|単結晶層|半導体デバイス|gas sensor|hydrogen sensor|zinc oxide|sputter epitaxy|single-crystalline layer|semiconductor device

要約(日本語): 本研究では，高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，サファイア基板上にエピタキシャル成長させたZnO(酸化亜鉛)単結晶層の，水素ガス応答の温度依存性を検討した。センサの動作温度によって，ZnO表面への酸素および水素ガスの吸着量が変化したと考えられ，温度によって感度に違いが見られた。

要約(英語): In this study, we studied on hydrogen gas response of single-crystalline ZnO layer on sapphire substrate grown by RF magnetron sputter epitaxy method. In the result, absorbed amount of oxygen and hydrogen gas was changed with work temperature and sensor sensitivity was different by its temperature.

原稿種別: 日本語

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