NO2検出を目的とした誘電泳動集積法を用いたカーボンナノチューブFETガスセンサの作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS18021

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2018/07/13

タイトル(英語): Manufacturing carbon nanotube field-effect transistor sensor using dielectrophoresis to detect NO2

著者名: 行部 晃生(九州大学),中野 道彦(九州大学),末廣 純也(九州大学)

著者名(英語): Kosei Gyobu(Kyushu University),Michihiko Nakano(Kyushu university),Junya Suehiro(Kyushu University)

キーワード: カーボンナノチューブ|誘電泳動集積法|ＦＥＴ|ガスセンサ|carbon nanotube|dielectrophoresis|field-effect transistor|gas sensor

要約(日本語): 本研究の目的は、誘電泳動集積法を用いてFET型のカーボンナノチューブ（CNT）ガスセンサを作製し、NO2を高感度に検出することである。従来の抵抗型はNO2吸着に伴うCNTの抵抗の変化を測定する。FET型は、そこに電界効果によるキャリア密度制御を加える。低抵抗P型シリコン基板上に電極を作製し、CNTを誘電泳動集積してセンサを作製した。ゲート電圧20Vにて、NO2検出感度が1.4倍向上した。

要約(英語): The aim of this study is to fabricate a field effect transistor (FET) type carbon nanotube (CNT) gas sensor for detecting NO2 sensitively. CNT was assembled by dilestrophoresis between an interdigitated microelectrode fabricated on a low resistance p type silicon substrate. FET property of the sensor was determined. For NO2 sensing, the sensitivity increased 1.4 times when 20 V of the gate voltage was applied.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,032 Kバイト