イオン銃を用いた酸窒化シリコン膜の作成と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-2

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Preparation and Characterization of Silicon Oxynitride Filems by Ion Gun

著者名: 星野 明洋(芝浦工業大学),望月 美穂(芝浦工業大学),横井 俊久(芝浦工業大学),荒木 隆伯(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Akihiro Hoshino(Shibaura inst. of tech.),Miho Mochizuki(Shibaura inst. of tech.),Toshihisa Yokoi(Shibaura inst. of tech.),Takanori Araki(Shibaura inst. of tech.),Kenji Yonei(Shibaura inst. of tech.)

キーワード: イオン銃|酸窒化シリコン膜C-V特性|C-V特性|リーク電流特性界面準位密度|Ion Gun|Silicon Oxynitride Films|Fourier-transform Infrared Spectroscopy|Capacitance-voltage characteristic|Leakage current characteristicInterface state density

要約(日本語): 近年のLSIの高集積化は、その基本的構成素子であるMOSFETの微細化によって進歩してきた。それに伴い、ゲート絶縁膜の薄膜化が求められている。それに伴い、ゲート絶縁膜の薄膜化が進み、次世代のプロセスでは、更に薄い膜圧のゲート絶縁膜が求められている。その結果、ゲート電極からのボロン突き抜け、絶縁耐性の低下、ゲートリーク電流の増大などといった問題が生じてきている。その解決策として、シリコン酸化膜に窒素を導入するシリコン酸窒化膜が注目されている。

本研究では、ドーパント濃度の制御が容易であるイオン銃を用いて、シリコン熱酸化膜に窒素を注入することによって酸窒化膜の作製を試み評価した。

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