SiCMOSFET動作の温度特性の数値解析

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-3

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Numerical Analysis on Temperature Characteristic of SiC MOSFET Performance

著者名: 登丸 徹也(芝浦工業大学),石田 夕起(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Tetsuya Tomaru(Shibaura Inst. of Tech),yuuki Ishida(Shibaura Inst. of Tech),Kennji Yonei(Shibaura Inst. of Tech)

キーワード: シリコンカーバイド|MOS構造シュミレーション|シュミレーション|SiC|MOS Stracture|MEDICI|Simulation

要約(日本語): ワイドギャップ半導体であるSiCは優れた電気特性と化学的安定性により、高パワー、高周波、高温などの環境に耐えうるデバイス材料として注目されている。すでに商業生産では6H,4H,3CのSiC基板が供給されている。本稿ではSiC（6H、4H、3C）とSiを用いたMOSFET動作に対する2次元の数値解析に基づく計算機シミュレーターはAVANT！社の2次元デバイスシミュレーターMEDICIである。

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