簡易真空蒸着装置を用いたCuIn2薄膜太陽電池の作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-4

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Fabricastion of CuInS2 Thin-Film Solar Cells used Simple Vacuum Deposition

著者名: 水野 裕介(芝浦工業大学),程塚 康明(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Yusuke Mizuno(Shibaura Inst. of Tech.),Yasuaki Hodotsuka(Shibaura Inst. of Tech.),Kennji Yonei(Shibaura Inst. of Tech.)

キーワード: カッパ?インジウムサルファイド|太陽電池硫化カドミウム|硫化カドミウム|化合物半導体簡易真空蒸着|CuIns2|solar sell |chalcopyrite |CdS|compound semiconductorSimple Vacuum Deposition

要約(日本語): 現在、薄膜太陽電池の開発はCuInSe2を中心に盛んに行われている。しかし、太陽電池の理想的な禁制帯幅を考えたとき、1.0eVと低いため、GaやSなどの混晶化が考えられている。そこで、同じ結晶構造（カルコパイライト型：I?III?IV族化合物半導体）を持つCuInS2が挙げられる。これは、禁制帯幅が単体で1.5eVと理想的な値を持っており、高効率が期待できる材料としてCuInS2に着目した。本研究では簡易型真空蒸着法を用いた太陽電池セルの作製と評価を試みた

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