有機珪素化合物を用いたSi基板上への3C-SiC薄膜成長及び評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-5

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Growth and Estimation of 3C-SiC Film on Si Sabstrate Using Organic Silane Compound

著者名: 向山 直樹(芝浦工業大学),伊関毅 (芝浦工業大学),塚田 真樹(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Naoki Mukaiyama(Shibaura Inst. of Tech.),Tsuyoshi Izeki(Shibaura Inst. of Tech.),Masaki Tsukada(Shibaura Inst. of Tech.),Yonei Kennji(Shibaura Inst. of Tech.)

キーワード: シリコンカーバイト|エピタキシー化合物半導体|化合物半導体|半導体薄膜|SiC|Epitaxey|Chemical Vapor Deposition (CVD)|Compound Semiconductor|Semiconductor Thin Film

要約(日本語): 　現在、Siを用いた電子デバイスでは対処できない環境下で動作可能なワイドバンドギャップ半導体が注目されている。ワイドバンドギャップ半導体の一つであるSiC(Silicon Carbide)は、Siを同様のプロセス技術が応用でき、耐熱、耐放射線性に優れ、耐環境用電子デバイス材料として期待されている。しかし、現在のところ良質かつ大面積を有するSiC基板はない。そこでSiCのなかでも、Si基板上へのヘテロエピタキシャル成長が可能で大面積基板を得ることができる、立法晶系に属する3C-SiCに着目した。本研究では低い分解温度を有する有機珪素化合物を用いてSi基板上へ炭化ガスを用い炭化層を形成した後、低温で3C-SiC薄膜を成長させ。評価を行う。また、ショットキー接合の電圧ー電流特性によるSiC物性評価を行った。

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