多段式真空蒸着装置を用いたCuInS2薄膜太陽電池の作製と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-6

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Fabrication and Evalution ofThin-Film Solar-sells used Multi-Chamber

著者名: 高橋 伸明(芝浦工業大学),水野 裕介(芝浦工業大学),風祭 春俊(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Nobuaki Takahashi(Shibaura Inst.of Tech.),Yusuke Mizuno(Shibaura Inst.of Tech.),Harutoshi Kazamatsuri(Shibaura Inst.of Tech.),Kennji Yonei(Shibaura Inst.of Tech.)

キーワード: カッパ-インジウムサルファイド|太陽電池カルコパイライト|カルコパイライト|硫化カドミュウム化合物半導体|CuInS2|solar cell|multi chamber|chalcopyrite|CdScompound semiconductor

要約(日本語): 　近年、太陽電池の光吸収材料として、高い光吸収特性から、カルコパイライト化合物であるCuInSe2やCuInS2を用いたものが注目されている。ここで、CuInSe2の禁制帯幅は1.0eVであり、太陽電池に最適をされる1.4?1.7eVに比べて狭い。一方、CuInS2の禁制帯幅は1.5eVであり、太陽光スペクトルをより効率よく吸収できる。したがって、高い変換効率が得られる可能性を秘めている。

　我々は、以前からCuInS2注目し、研究を進めてきた。従来は、製作過程において大気中にさらしていたが、本実験では、多段式真空蒸着装置を用い、太陽光デバイスの作製プロセスを真空を破ることなく行った。

PDFファイルサイズ: 241 Kバイト