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ITO/発光層間への絶縁体中間層導入による有機EL素子発光性能向上
ITO/発光層間への絶縁体中間層導入による有機EL素子発光性能向上
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カテゴリ: 部門大会
論文No: GS2-2
グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2002/09/02
タイトル(英語): Organic electoroluminescence device performance improvement by the insulator middle class introduction
著者名: 三井 喬士(慶應義塾大学),白鳥 世明(慶應義塾大学)
著者名(英語): Takashi Mitsui(Keio University),Seimei Shiratori(Keio University)
キーワード: 有機EL素子|絶縁体層|organic electroluminescent device|insulator layer|surface sol-gel process
要約(日本語): ITO基板上に表面ゾル-ゲル法を用いてSiO2絶縁体層を形成させた。この絶縁体層成長を水晶振動子微量天秤法(QCM法)を用いてモニターし、X線光電子分光分析装置(XPS)を用いて確認した。絶縁体層で覆われたITO基板上に発光層をスピンキャスト法により製膜した。電極としてCa、Ca保護層としてAlを真空蒸着方により製膜し、素子を完成させた。常温・常圧・空気中で素子特性を測定した。ITO/SiO2/発光層/Ca/Al構造の素子はITO/発光層/Ca/Al構造の素子よりも高い外部量子効率を示した。
PDFファイルサイズ: 2,369 Kバイト
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