ゾル-ゲル法による金属酸化物ゲート絶縁膜の創製とその有機FET特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-2

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Fabrication and Performance of Organic FET Devices with Dielectric Metal Oxide Gate Insulators Prepared by Sol-gel Technique

著者名: 小笹健仁(産業技術総合研究所),吉田学(産業技術総合研究所),植村聖(産業技術総合研究所),鎌田俊英(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Takehito Kodzasa|Manabu Yoshida|Sei Uemura|Toshihide Kama

キーワード: 有機FET|ゾルーゲル法表面モルフォロジー|表面モルフォロジー|ペンタセン酸化ジルコニウム|organic FET|sol-gel|dielectric gate insulator|surface morphology|pentacenezirconium dioxide

要約(日本語): 印刷法等の簡便プロセスによる有機デバイスの創製のためには有機半導体だけでなく高誘電率ゲート絶縁膜も湿式プロセスで作製出来る事が必要不可欠である。本研究ではゾル-ゲル法で作製した金属酸化物絶縁膜にペンタセン及び金電極を製膜して有機FET素子を作製した。幾つかの金属酸化物について絶縁性能の評価及び原子間力顕微鏡による表面形状観察を行ったところ、特に酸化ジルコニウム膜が絶縁性とサブナノメートルオーダーの平滑性を有する事を明らかにした。これをゲート絶縁膜とするFET素子のI-V特性を評価したところ、これが-0.2Vのスレショルド電圧、及び0.98cm²/Vsの移動度を有する事を確認した。

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