n型有機FETにおける電極-半導体界面修飾効果

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-3

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Interface modification of source and drain electrodes in n-type organic FETs

著者名: 星野聰(産業技術総合研究所),永松秀一(産業技術総合研究所),鎌田俊英(産業技術総合研究所),八瀬清志(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Satoshi Hoshino|Syuichi Nagamatsu|Toshihide Kamata|Kiyoshi Y

キーワード: 有機半導体|有機電界効果トランジスターソース?ドレイン電極|ソース?ドレイン電極|金属?有機半導体界面|Organic Semiconductors|Organic Field-Effect Transistors|n-type Organic Semiconductors|Source-Drain Electrodes|Metal-Organic Semiconductor Interface

要約(日本語): フッ素化銅フタロシアニン(FCuPC)薄膜を活性層とし、Alをソース・ドレイン電極とする電解効果トランジスター(FET)において、ソース及びドレイン電極とFCuPc層の界面にLiF極薄膜を挿入した効果について検討した。Alのみをソース・ドレイン電極とするトップコンタクトFETではFETとして動作しなかったが、LiF極薄膜を挿入することによってn-チャンンルエンハンスメント型のFET特性が確認された。LiF層はAlを真空蒸着する際に起こる化学反応を抑制する保護層として作用する他、Li原子を電極直下のFCuPc層にドープすることによって接触抵抗を減少させる効果があるものと結論した。

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