電荷移動錯体LB膜を用いた超薄膜トランジスタの作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-5

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Fabrication of Ultrathin-Film-Transistor Using Charge-Transfer-Complex Langmuir-Blodgett Films

著者名: 佐久間 広貴(千葉大学),飯塚 正明(千葉大学),中村 雅一(千葉大学),工藤 一浩(千葉大学)

著者名(英語): Hirotaka Sakuma(Chiba University),Masaaki Iizuka(Chiba University),Masakazu Nakamura(Chiba University),Kazuhiro Kudo(Chiba University)

キーワード: 電界効果トランジスタ|吸着LB法LB膜の積層構造|LB膜の積層構造|field-effect transistor (FET)|adsorption LB method|charge-transfer-complex|stacking structure of the LB film

要約(日本語): 電荷移動錯体であるTMPD-C_nTCNQ吸着LB膜を用いた超薄膜FETを作製した。錯体膜の作製に後吸着LB法を用いることで分子層レベルでの膜厚制御が可能となり、積層方向及び面内の分子配向のそろった高秩序薄膜が得られる。さらに作製条件により吸着状態の制御が可能であり、それに伴う素子特性の向上が見込める。本研究では、累積数やアルキル鎖の長さを変えた素子を作製し、素子特性の比較を行った。その結果、累積数を変化させた場合に特性に顕著な違いが現れ、錯体層を薄膜化することにより素子特性の向上が確認された。このような違いは累積された錯体LB膜の積層錯体構造の違いに起因しているものと考えている。

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