Cu:TCNQ共蒸着膜による有機スイッチングデバイス

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-7

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Organic switching devices by Cu:TCNQ co-deposited films with an Al₂O₃ layer

著者名: 小山田 崇人(千歳科学技術大学),田中 治夫(ローム),雀部 博之(千歳科学技術大学),安達 千波矢(千歳科学技術大学)

著者名(英語): Takahito Oyamada(Department of Photonics Materials Science,Chitose Institute of Science and Technology (CIST)),Haruo Tanaka(Rohm Co.,ULSI Lab.),Hiroyuki Sasabe(Department of Photonics Materials Science,Chitose Institute of Science and Te),Chihaya Adachi(Department of Photonics Materials Science,Chitose Institute of Science and Te)

キーワード: Cu|TCNQ電荷移動錯体|電荷移動錯体|テトラシアノキノジメタンAl₂O₃|Cu|TCNQ|switch|charge transfer complex|tetracyanoquinodimethaneAl₂O₃

要約(日本語): 私たちは共蒸着法によりCuとTCNQの蒸着比率を制御し,アモルファス状の錯体薄膜を形成した。そして,ITO/Al/Al₂O₃/Cu:TCNQ/Al素子構造において再現性のあるスイッチング特性の発現に成功した。さらに,Al/Al₂O₃がスイッチング特性の発現に影響があると考え,Al₂O₃の膜厚を精密に制御できるスパッタ法によってITO/Al₂O₃/Cu:TCNQ/Al素子構造を作成した。Al₂O₃の膜厚が7.5nmの厚さにおいてON/OFF比が760(5V)に達するスイッチング特性が観測され,Al₂O₃とCu:TCNQの界面がスイッチング特性の発現に重要な働きをしていることがわかった。

PDFファイルサイズ: 2,098 Kバイト