エピタキシャルAlN及びPZTを用いた薄膜バルク振動子

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC3-9

グループ名: 【C】平成14年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2002/09/02

タイトル(英語): Film Bulk Acoustic Wave Resonators using Epitaxial AlN or PZT Thin Film

著者名: 斉藤 久俊(TDK),野口 隆男(TDK),阿部 秀典(TDK),山下 喜就(TDK)

著者名(英語): Hisatoshi Saitou(TDK),Takao Noguchi(TDK),abe Hidenori(TDK),Yamashita Yoshinari(TDK)

キーワード: 薄膜バルク振動子|圧電デバイス窒化アルミ|窒化アルミ|ダイアフラム構造音響多層膜構造|thin film bulk acoustic wave resonator|piezoelectric device|PZT|AlN|diaphragmsolidly mounted resonator

要約(日本語): Si基板上に多元反応性蒸着法を用いて、(100)及び(001)が面内に混在する高結晶性エピタキシャルPZT膜を形成し、その圧電特性を明らかにした。更に、この多元反応性蒸着法と、RFスパッタ法を用いて(0001)面がエピタキシャル成長しているAlN薄膜を作製した。このエピタキシャルAlN薄膜を用いて、薄膜バルク振動子を作製した結果、共振・反共振点のインピーダンス差が50dB、実効的電気機械結合係数が5.5%の良好な共振特性を得た。また、インハーモニックモードによるスプリアスについて、測定値と計算値の良好な一致を確認した。

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