分子エレクトロニクス用ナノギャップ平坦電極の作製

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-1

グループ名: 【C】平成15年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2003/08/29

タイトル(英語): Fabrication of nano-gap electrodes for molecular electronics

著者名: 江面知彦(早稲田大学),水野潤(早稲田大学),筒井謙(早稲田大学),徳田正秀(早稲田大学),斎藤美紀子(早稲田大学),小野里陽正(早稲田大学),小泉寿子(早稲田大学),和田恭雄(早稲田大学),南風盛将光(東京工業大学),鯉沼秀臣(東京工業大学)

著者名(英語): Tomohiko Edura(Waseda University Nanotechnology Laboratory),Jun Mizuno(Waseda University Nanotechnology Laboratory),Ken Tsutsui(Waseda University Nanotechnology Laboratory),Masahide Tokuda(Waseda University Nanotechnology Laboratory),Mikiko Saito(Waseda U)

キーワード: 分子エレクトロクス|平坦電極|ナノギャップ|Cu-CMP|molecular electronics|flat electrode|nano-gap|Cu-CMP

要約(日本語): 高分子材料を利用した電界効果トランジスタなどの研究開発に代表されるように、有機分子デバイスへの期待が年を追うごとに高まっている。このような有機分子材料に関する電気的特性については、電極/高分子材料間の接触界面についての物性など、明らかになっていない点が多い。我々は、そのような電気的特性評価用にナノサイズのギャップを有する平坦電極を以下のプロセスにより作製した。試作した電極はSi基板上の熱酸化膜層に電極パターンでエッチング加工し、全面にCr/Cuをスパッタ成膜し、Cu-CMPにより平坦化した。また、最表面層を置換Auメッキ処理にて仕上げた。発表当日は、この電極の評価結果について報告する。

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