HMDSを用いたSi基板上への3C-SiC薄膜の作成と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS2-2

グループ名: 【C】平成15年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2003/08/29

タイトル(英語): Growth and Estimation of 3C-SiC Film on Si Substrate Using Hexamethyldisilane

著者名: 塚田真樹(芝浦工業大学),大河原政紀(芝浦工業大学),岩澤厚(芝浦工業大学),加藤雄(芝浦工業大学),本田昌宏(芝浦工業大学),向山直樹(芝浦工業大学),米井健治(芝浦工業大学),石田夕起(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Masaki Tsukada|Masaki Oogawara|Atusi Iwasawa|Yu Katou|Masahiro Honda|Naoki Mukaiyama

キーワード: 炭化ケイ素|ワイドバンドギャップ半導体|ヘテロエピタキシャル成長|反射高エネルギー電子線回折|Silicon Carbide|Wide bandgap semiconductor|heteroepitaxial growth|RHEED

要約(日本語): Siを用いた電子デバイスでは対処できない環境下でも動作可能なワイドバンドギャップ半導体が注目されている。ワイドバンドギャップ半導体の1つであるSilicon Carbide(SiC)は、Siと同様のプロセス技術が応用でき、耐熱・耐放射線性に優れ、耐環境用電子デバイスや、パワーエレクトロニクスの分野での使用が期待されている。

本研究では、低い分解温度を有する有機ケイ素化合物であるHMDS(Hexamethyldisilane)を用い、Si基板上へのヘテロエピタキシャル成長によって大面積の基板を得ることができる、立方晶系に属する3C-SiCを成長させ、評価を行う。

PDFファイルサイズ: 267 Kバイト