多段式真空蒸着装置を用いたCuInS2薄膜系太陽電池の作製と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS2-3

グループ名: 【C】平成15年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2003/08/29

タイトル：多段式真空蒸着装置を用いたCuInS₂薄膜系太陽電池の作製と評価

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of CuInS₂ Thin-Film Interrelated Solar-Cells used Multi-Chamber

著者名: 下村 拓也(芝浦工業大学),水野 裕介(芝浦工業大学),高橋 伸明(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Takuya Shimomura(Shibaura University),Yusuke Mizuno(Shibaura University),Nobuaki Takahashi(Shibaura University),Kenji Yonei(Shibaura University)

キーワード: CuInS₂|薄膜|真空| アニール|太陽電池多槽|CuInS₂|thin film|vacuum|anneal|solar-cellmulti-chamber

要約(日本語): 　近年、太陽電池の光吸収材料として、高い光吸収特性から、カルコパイライト化合物であるCuInS₂を用いたものが注目されている。ここで、CuInS₂の禁制帯幅は1.5eVであり、太陽電池の最適値は1.4?1.7eVであるから、太陽光スペクトルをより効率良く吸収できる。したがって、高い変換効率が得られる可能性を秘めている。

　我々は、以前からCuInS₂に注目し、研究を進めてきた。従来は、作製過程において大気中にさらしていたが、本実験では、多段式真空蒸着装置を用い、真空を破ることなく界面制御を行ないながら、太陽光デバイスの作製を行っている。

PDFファイルサイズ: 229 Kバイト