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ニューロンMOSトランジスタを用いたハミング距離検出回路の提案
ニューロンMOSトランジスタを用いたハミング距離検出回路の提案
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カテゴリ: 部門大会
論文No: GS3-2
グループ名: 【C】平成15年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2003/08/29
タイトル(英語): Proposal of a Hamming Distance Detector Using Neuron MOS Transistors
著者名: 福原 雅朗(東海大学),吉田 正廣(東海大学)
著者名(英語): Masaaki Fukuhara(Tokai University),Masahiro Yoshida(Tokai University)
キーワード: ニューロンMOSトランジスタ|ハミング距離|D/Aコンバータ|CAM|neuron MOS transistor|Hamming distance|D/A converter|CAM
要約(日本語): 柔軟な情報処理システムを実現するための機能デバイスとして,単体のデバイスで複数の入力信号の重み付き線形和を計算することのできるニューロンMOSトランジスタ(νMOS)が開発された.本文では,このνMOSを用いたハミング距離検出回路を提案している.提案回路は,二つのバイナリ入力データの各ビットを並列に比較し,それらのデータ間のハミング距離を検出することができる.このハミング距離検出機能は,パターン認証,ネットワークルーティング,データベース検索エンジンなどの分野に応用すると有用であると考えられている.また,HSPICEを用いたシミュレーションによって提案回路が所望の動作をすることを示している.
PDFファイルサイズ: 3,907 Kバイト
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