多段真空蒸着装置を用いたCuIn(SSe)2薄膜の作成と応用

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-1

グループ名: 【C】平成16年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/02

タイトル：多段真空蒸着装置を用いたCuIn(SSe)₂薄膜の作成と応用

タイトル(英語): Production and Application of CuIn(SSe)₂ Thin-Film Used Multi-Stage Type Vacuum Evaporation Equipment

著者名: 嶋田 隆史(芝浦工業大学),下村 拓也(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Takashi Shimada(Shibaura Institute of Technology),Takuya Shimomura(Shibaura Institute of Technology),Kenji Yonei(Shibaura Institute of Technology)

キーワード: CuIn(SSe)₂|薄膜|真空蒸着装置|多段式|アニール|CuIn(SSe)₂|thin film|vacuum　ebaporation equipment|multi-stage type|anneal

要約(日本語): 近年、太陽電池の光吸収材料として、高い光吸収特性から、カルコパイライト化合物であるCuInS2を用いたものが注目されている。しかし、CuInS2の禁制帯幅は約1.0eVであり、太陽電池に最適とされているのは1.4～1.7eVであるので、効率良く吸収するためには禁制帯幅を広げる必要がある。そして、CuIn(SSe)2は禁制帯幅を1.4～1.7eVに制御することができ高い変換効率が期待できる。よって、我々は今回CuIn(SSe)2に注目し、研究した。

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