有機珪素化合物を用いたSi基板上への3C - SiC薄膜成長及び評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-2

グループ名: 【C】平成16年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/02

タイトル(英語): Growth and Estimation of 3C-SiC Film on Si Substrate Using Oganic Silane Compound

著者名: 大河原 政紀(芝浦工業大学),塚田 真樹(芝浦工業大学),本田 昌宏(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Masaki Ookawara(Shibaura Institute of Technology),Masaki Tsukada(Shibaura Institute of Technology),Masahiro Honda(Shibaura Institute of Technology),kenji Yonei(Shibaura Institute of Technology)

キーワード: シリコンカーバイド|化合物半導体|化学気相成長法|ヘテロエピタキシー|Silicon Carbide|Compound Semiconductor|Chemical Vapor Deposition|Heteroepitaxcy

要約(日本語): 現在、Siを用いた電子デバイスでは対処できない厳しい環境下においても動作可能なワイドバンドギャップ半導体が注目されている。その中でも、SiC(Silicon Carbide)はSiと同様のプロセス技術の応用ができ、耐熱、耐放射線性に優れ、耐環境用デバイス材料として期待されている。現在3インチ基板が販売されているが、価格がSiに比べ非常に高く、その要因を解決していく必要がある。そこでSiCの中でも、Si基板上へのヘテロエピタキシャル成長が可能で大面積基板作製が期待できる、立方晶系に属する3C-SiCに注目し、低分解温度を有する有機珪素化合物を用いてSi(111)3°オフ基板上への3C-SiC単結晶成長を試み、その物性評価を行った。

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