導電膜を介したSTMリソグラフィによるナノ細線加工の研究

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-5

グループ名: 【C】平成16年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/02

タイトル(英語): Research of Nano Thin Line Processing by The STM Lithography -Through The Electric Conduction Film

著者名: 佐竹 寿和(芝浦工業大学),遠藤 智子(芝浦工業大学),丸山 直樹(芝浦工業大学),米井 健治(芝浦工業大学),板谷太郎 (産業技術総合研究所)

著者名(英語): Toshikazu Satake(Shibaura Institute of Technology),Tomoko Endou(Shibaura Institute of Technology),Naoki Maruyama(Shibaura Institute of Technology),kenji Yonei(Shibaura Institute of Technology),Taro Itatani(National Institute of Advanced Industrial Science)

キーワード: 走査型トンネル顕微鏡|STMリソグラフィ|レジスト|導電膜|Scanning tunneling microscope|STM lithography|Resist|Electric conduction film

要約(日本語): LSIの高集積化そして多品種少量生産時代の到来により、高解像性能であり高騰するマスクを用いることなく、直接的に加工が行なえる電子ビーム(EB)リソグラフィ技術が見直され、次世代のリソグラフィ技術の1つとして注目されている。そこで、本研究では、走査型トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscope：STM)の探針を電子線源とした、EBリソグラフィを行なう。STMは探針を試料へ極近距離まで近づけて両者の間に電圧を加えると、トンネル効果により試料?探針間にトンネル電流が流れるという原理を持つ。このトンネル電流を電子ビームに見立てて加工を行なう。既存のEBリソグラフィ技術と比較すると、極近から低エネルギーのトンネル電流を照射するため、近接効果等による解像度の低下は問題とならない。そのため、高解像度でかつ高精度の微細加工が可能であると考えられる。

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