GaN-FET技術の最近の動向および今後の展望

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC10-2

グループ名: 【C】平成16年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/02

タイトル(英語): Recent Progress of AlGaN/GaN Heterojunction FET Technology for High Power Applications

著者名: 宮本,広信|安藤裕二,|岡本,康宏|中山,達峰|幡谷,耕二

著者名(英語): Hironobu Miyamoto(R&D Association for Future Electron Devices),Yuji Ando(R&D Association for Future Electron Devices),Yasuhiro Okamoto(R&D Association for Future Electron Devices),Tatsuo Nakayama(R&D Association for Future Electron Devices),Koji Hataya(R&)

キーワード: 窒化物半導体|トランジスタ|パワーデバイス|基地局|GaN|Transistor|Power dvice|Base station

要約(日本語): GaN-FET開発の現状および今後の展望について報告する。通信用高出力素子として、1）L帯ではフィールドプレート付きリセスゲートFETが開発され、48mm素子の2GHzにおける49V動作にて飽和出力203W、電力付加効率67%、線形利得10.1dBが得られ、2）Ka帯ではレイアウトを改善した0.25µmゲートFETが作製され、1mm素子の30GHzにおける30V動作にて飽和出力5.8W、電力付加効率43%、線形利得9.2dBが得られている。最近では電源用パワーデバイスの報告もなされている。高電圧動作を可能とするGaN半導体の特徴を利用したGaNパワーデバイスのさらなる開発が今後期待される。

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