GaAsデバイスの現状と課題

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC10-3

グループ名: 【C】平成16年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/02

タイトル(英語): GaAs Devices, Present and Future

著者名: 岩田 直高(NEC化合物デバイス)

著者名(英語): Naotaka Iwata(NEC Compound Semiconductor Devices,Ltd.)

キーワード: ガリウムヒ素|電界効果トランジスタ|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|マイクロ波|携帯電話|GaAs|FET|HBT|Microwave|Mobile Phone

要約(日本語): マイクロ波帯ではSiGeHBTやRFCMOSの台頭が著しく、ミリ波帯ではInPデバイスが注目されているが、実際はGaAsデバイスが市場の主流である。本報告では、GaAsデバイスの特性ポテンシャルと技術や市場の動向を紹介し、ビジネスとの相関や乖離を議論する。

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