65nm node以降のCMOS技術動向と展望

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC10-4

グループ名: 【C】平成16年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2004/09/02

タイトル(英語): Key Technologies for Advanced CMOS Devices beyond 65 nm node generation

著者名: 稲葉 聡(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Satoshi Inaba(Toshiba Corp. Semiconductor Co.)

キーワード: CMOSデバイス|電子移動度|ゲート絶縁膜|新規MOSFET構造|CMOS Devices|electron mobility|gate insulator|novel MOSFET structure

要約(日本語): 近年CMOSデバイスの微細化限界が声高に議論されている。　世代を追うにつれて厳しくなる状況下でCMOSデバイスの高性能化を達成するためには多くの問題点が解決されなくてはならない。　本講演では65nm　node以降のCMOS技術に関して最近のITRSや学会動向を述べ、注目されているキャリア移動度改善に関する研究やゲート絶縁膜への取り組み、SOIを含む新規構造デバイス適用のメリット・デメリットなどについて展望する。

PDFファイルサイズ: 4,352 Kバイト