IGBT開発動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC3-1

グループ名: 【C】平成17年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2005/09/06

タイトル(英語): The Overview of IGBT Developments

著者名: 濱田公守(トヨタ自動車),大村一郎(東芝セミコンダクター社),四戸孝(東芝),岩室憲幸(富士日立パワーセミコンダクタ),高田育紀(三菱電機),齋藤隆一(日立製作所),戸倉規仁(デンソー)

著者名(英語): Kimimori Hamada|Ichiro Omura|Takashi Shinohe|Noriyuki Iwamuro|Ikunori Takata|Ryuichi Saitou|Nor

キーワード: 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ|電力用半導体|薄ウェハ技術|高電圧|アバランシェ耐量パワーモジュール|IGBT|power semiconductor |thin wafer technology|high voltage|avalanche capabilitypower module

PDFファイルサイズ: 6,050 Kバイト