パワーMOSFETの技術動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC3-2

グループ名: 【C】平成17年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2005/09/06

タイトル(英語): Recent developments of Power MOSFETs

著者名: 高尾 典行(ＮＥＣエレクトロニクス),宇野 利彦(松下電器),武市 英司(沖電気),藤本 慎治(日本インター)

著者名(英語): Noriyuki,Takao|Toshihuko,Uno|Eiji,Takeichi|Shinji,Fujimoto

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|ディスクリート|トレンチ　|スーパージャンクション（超接合）|MOSFET|DISCRETE|TRENCH |SUPERJUNCTION|COMPENSATION

要約(日本語): ＭＯＳＦＥＴ（縦型）のここ３年間の技術開発動向について、トレンチＭＯＳＦＥＴ（低圧）、スーパージャンクション（高圧）、およびそれらのアプリケーションとその他のトピックス（実装・信頼性・シミュレーション技術など）を中心に調査し、まとめたものである

PDFファイルサイズ: 5,452 Kバイト