ダイオードの技術動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC3-3

グループ名: 【C】平成17年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2005/09/06

タイトル(英語): Recent Technologies of Powe Diodes

著者名: 菅井 昭彦(新電元工業),疋田 耕一(サンケン電気),山崎 みや(オリジン電気)

著者名(英語): Akihiko Sugai(Shindengen Electric Mfg.),kouichi Hikita(Sanken Electric),Miya Yamazaki(Origin Electric)

キーワード: ショットキーバリアーダイオード|ファーストリカバリーダイオード|超接合|ライフタイム制御|Schottky Barrier Diode|Fast Recovery Diode|Superjunction|Lifetime Control

要約(日本語): 　電子機器の小型化・高性能化に伴ない、そこで使用されるパワー半導体デバイスの高性能化・高機能化が求められている。特に近年の環境保護の高まりから、パワー半導体デバイスの低損失化への要求が強まっている。このような中、シリコンダイオードも、低順方向電圧化・高速化・低ノイズ化の要求に応えるべく、種々デバイス構造が提案されてきた。本稿では、ここ3年間の技術動向を調査し、ユニポーラデバイスであるショットキーバリアーダイオード（SBD）、バイポーラデバイスであるファーストリカバリーダイオード（FRD）の技術の進展、及び市場動向についてまとめた。

PDFファイルサイズ: 2,753 Kバイト