横型パワーデバイスの開発動向

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC3-4

グループ名: 【C】平成17年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2005/09/06

タイトル(英語): Trend of Lateral Power Devices

著者名: 松本 聡(NTT環境エネルギー研究所),石黒 毅(アイスモス・テクノロジー・ジャパン),小澤 秀清(富士通VLSI),寺島 知秀(三菱電機),山内 経則(ユーディナデバイス)

著者名(英語): Satoshi Matsumoto(NTT Energy and Environment Systes Laboratories),Takeshi Ishiguro(ICEMOS Technology Jaoan),Hidekiyo Ozawa(Fujitsu VLSI),Tomohide Terashima(Mitsubishi Electric),Tsunenori Yamauchi(Eudyna Devices)

キーワード: LDMOS|パワーIC|RFパワーデバイス|ディスクリート|LDMOS|Power　IC|RF Power Device|Discrete

要約(日本語): 横型パワーデバイスのここ３年間の開発動向について、ティスクリートデバイスとパワーICに大別し、各種応用分野の観点から報告する。

PDFファイルサイズ: 427 Kバイト