SiC/GaN素子化技術の進展

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC3-5

グループ名: 【C】平成17年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2005/09/06

タイトル(英語): Progress of fabrication tecniques for SiC/GaN devices

著者名: 福田 憲司(産業技術総合研究所),土田 秀一(電力中央研究所),江原 俊浩(サンケン電気),疋田 耕一(サンケン電気),四戸 孝(東芝)

著者名(英語): Kenji Fukuda(AIST/PERC),Hidekazu Tsuchida(Central Research Institute of Electric Power Industry),Toshihiro Ehara(SANKEN ELECTRONIC CO.,LTD.),koichi hikita(SANKEN ELECTRONIC CO.,LTD.),Takashi Shinohe(Toshiba Corporation)

キーワード: SiC|GaN|パワー素子パワー素子|SiC|GaN|power devices

要約(日本語): SiC/GaNを用いたパワー素子（ＳＢＤ，ＰＩＮダイオード、ＭＯＳＦＥＴ、ＳＩＴ、バイポーラ素子）の結晶成長から、デバイス作製技術及びそれらを用いた応用技術の最新動向について報告する。

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