リッジ基板上の一回の選択MOCVDによるInGaAs/AlGaAs 量子細線DFBレーザー

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS1-6

グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/05

タイトル(英語): InGaAs/AlGaAs quantum wire DFB laser by one-time selective MOCVD on ridge substrate

著者名: 高須賀庸行 (芝浦工業大学,産業技術総合研究所),米井 健治(芝浦工業大学),山内 洋美(産業技術総合研究所),小倉 睦郎(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Yasuyuki,Takasuka|Kenji,Yonei|Hiromi,Yamauchi|Mutsuo,Ogura

キーワード: 量子細線|分布帰還型レーザー|V溝グレーティングリッジ基板|一回の選択MOCVD|台形型成長断面|quantum wire|DFB laser|V-groove grating ridge substrate|one-time selective MOCVD|trapezoidal growth profile

要約(日本語): 逆メサ構造を持つV溝グレーティング基板上の一回の選択MOCVDによって、低閾値のInGaAs/AlGaAs 量子細線DFBレーザーを作製した。これによって、量子細線・DFB・電流狭窄・リッジ構造を有するレーザーを、比較的簡素なプロセスで作製できるようになった。成長速度の方位依存性により台形型断面が形成・電流経路が分断され、実際に電流狭窄の効果を確認することができた。閾値は14.5mAで、また発振スペクトルは波長812nm付近において閾値の2倍程度まで単一モードが維持され、その後新たなモードが現われた。

PDFファイルサイズ: 2,701 Kバイト