ニューロンMOSインバータを用いたハミング距離検出回路の動作特性
ニューロンMOSインバータを用いたハミング距離検出回路の動作特性
カテゴリ: 部門大会
論文No: GS1-7
グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集
発行日: 2006/09/05
タイトル(英語): Operating Characteristics of a Hamming Distance Detector Using a Neuron MOS Inverter
著者名: 福原 雅朗(東海大学),吉田 正廣(東海大学)
著者名(英語): Masaaki Fukuhara(Tokai University),Masahiro Yoshida(Tokai University)
キーワード: ニューロンMOSトランジスタ|ニューロンMOSインバータ|ハミング距離|検出時間|消費電力ノイズマージン|neuron MOS transistor|neuron MOS inverter|Hamming distance|detecting time|power consumptionnoise margin
要約(日本語): ニューロンMOSトランジスタは単一の素子上でアナログ信号とディジタル信号を融合させた演算が可能な機能デバイスである.私たちはこれまでに,曖昧さを含む柔軟な情報検索を実現するための回路として,このニューロンMOSトランジスタを相補的に組み合わせて構成されるニューロンMOSインバータを用いたハミング距離検出回路を提案してきた.本論文では,この提案回路の距離検出時間と消費電力について詳細に解析し,HSPICEを用いたシミュレーションにより検証する.さらに,提案回路と従来のハミング距離検出回路の比較検討を行い,提案回路が従来のものよりも動作速度と消費電力の点で優れていることを明らかにする.
PDFファイルサイズ: 2,999 Kバイト
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