多段式真空蒸着装置を用いたCuInS2薄膜太陽電池の作製と評価

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS3-3

グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/05

タイトル：多段式真空蒸着装置を用いたCuInS₂薄膜太陽電池の作製と評価

タイトル(英語): Production and Evaluation of CuInS₂ Thin-Film Solar battery Used Multi-Stage Type Vacuum Evaporation deposition equipment

著者名: 嶋田隆史(芝浦工業大学),高須賀庸行(芝浦工業大学／産業技術総合研究所),米井健治(芝浦工業大学)

著者名(英語): Takashi Shimada(Shibaura Institute of Technology),yasuyuki Takasuka(Shibaura Institute of Technology),Kenji Yonei(Shibaura Institute of Technology)

キーワード: 太陽電池|化合物半導体|CuInS₂|CIS|Solar battery|Compound semiconductors|CuInS₂|CIS

要約(日本語): 一般的なシリコン太陽電池だと設備が大掛かりになることから値段が高くなってしまう問題があります。そこでCuInS_２といった変換効率の高効率が期待できる化合物半導体を用い、真空蒸着法といった製造コストの安い方法で作製し低コスト化と高効率化を目標としています。作製にあたって多段式真空蒸着装置を用いました。この装置を用いれば真空を破ることなく太陽電池を作製できるので、表面の酸化防止や不純物の吸着防止になります。ただ、この方法だと半導体接合面に欠陥が残っていると考えられるので装置内に窒素ガスを入れることにより欠陥を抑えることができると考えました。

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