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スパッタ膜形成条件による金めっきへの影響

スパッタ膜形成条件による金めっきへの影響

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カテゴリ: 部門大会

論文No: MC2-16

グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/05

タイトル(英語): Results of Gold Plating Dependency on Spattering Conditions

著者名: 三隅 浩一(東京応化工業),先崎尊博 (東京応化工業),鷲尾 泰史(東京応化工業),斎藤宏二 (東京応化工業),本間 英夫(関東学院大学)

著者名(英語): Kouichi Misumi(Tokyo Ohka Kogyo co.,ltd.),Takahiro Sakizaki(Tokyo Ohka Kogyo co.,ltd.),Yasushi Washio(Tokyo Ohka Kogyo co.,ltd.),Koji Saito(Tokyo Ohka Kogyo co.,ltd.),Hideo Honma(Kanto Gakuin University)

キーワード: 金バンプ|フォトレジスト|ドライバーLSI|金めっき液|厚膜金スパッタウエハ|gold bump|photoresist|driver LSI|gold plating solution|thick filmgold supattered wafer

要約(日本語): 携帯電話やパソコンなどモバイル機器に使用される液晶表示ディスプレイの駆動部分(ドライバーLSI)の接続端子には通常、突起電極(Bump)を用いた実装技術が使われている。このBumpは、フォトレジストを用いて、電気めっき法にて形成されている。この業界では、めっき液として、通常、ノンシアン金めっき液が広く使用されているが、一部、プリント基板用のシアン金めっき液も使用されている。本稿では、金スパッタ膜の条件を変化させたときの各種厚膜めっき用フォトレジストの形状、そのときのBumpの形状に対する依存性について調査したので報告する。

PDFファイルサイズ: 2,416 Kバイト

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