縦型極薄チャネルマルチゲートMOSFET - 技術的課題とその解決策、および今後の展開 -

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-3

グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/05

タイトル(英語): Vertical Ultrathin-Channel Multigate MOSFETs-Technological Challenges and Developments-

著者名: 昌原明植 (産業技術総合研究所),柳永勲 (産業技術総合研究所),遠藤 和彦(産業技術総合研究所),松川 貴(産業技術総合研究所),鈴木英一 (産業技術総合研究所)

著者名(英語): Meishoku Masahara(National Institute of AIST,NeRI),Yong-Xun Liu(National Institute of AIST,NeRI),Kazuhiko Endo(National Institute of AIST,NeRI),Takashi Matsukawa(National Institute of AIST,NeRI),Eiichi Suzuku(National Institute of AIST,NeRI)

キーワード: マルチゲートMOSFET|極薄縦型チャネル|ウェットプロセス|不純物導入|メタルゲートVth自在制御|multigate MOSFET|vertical ultrathin-channel|wet process|impurity doping|metal gateflexible Vth control

要約(日本語): 32nm技術ノード以降のULSI回路における最大の課題は、短チャネル効果に起因した待機時消費電力を、特性ペナルティ無しに如何に抑え込むか、である。縦型極薄チャネルマルチゲートMOSFET（MuGFET）は、その極めて高い短チャネル効果抑制能から、この課題を解決し得る素子として近年注目を浴びている。本稿では、縦型極薄チャネルMuGFETを実用に際し乗り越えるべき技術的課題とそれらの解決策について紹介する。更に今後のMuGFETの展開についても議論する。

PDFファイルサイズ: 1,510 Kバイト