シリコン単電子デバイス集積化の新展開

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-4

グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/05

タイトル(英語): Recent progress in integration of silicon single-electron devices

著者名: 猪川 洋(静岡大学),西口 克彦(日本電信電話),藤原 聡(日本電信電話),小野 行徳(日本電信電話),高橋 庸夫(北海道大学)

著者名(英語): Hiroshi Inokawa(Shizuoka University),Katsuhiko Nishiguchi(NTT Corporation),Akira Fujiwara(NTT Corporation),Yukinori Ono(NTT Corporation),Yasuo Takahashi(Hokkaido University)

キーワード: シリコン|単電子デバイス|集積化集積化|silicon (Si)|single-electron device|integration

要約(日本語): 超低消費電力で高密度な情報処理システムを構成するデバイスとして期待されている単電子デバイスの集積化にかかわる動向を紹介する。シリコンを材料として使うことの優位性と単電子トランジスタの機能性を生かした回路設計についてふれ、より一層の低消費電力の実現につながる単電子転送デバイスが室温で動作し、近い将来のシリコン集積回路技術でも作製できることを示す。

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