ECRプラズマプロセスによる高誘電率ゲート絶縁膜の形成

カテゴリ: 部門大会

論文No: TC1-7

グループ名: 【C】平成18年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2006/09/05

タイトル(英語): High-k Gate Insulator Formations by ECR Plasma Process

著者名: 大見俊一郎 (東京工業大学)

著者名(英語): Shun-ichiro Ohmi(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 高誘電率|ゲート絶縁膜|ECR|プラズマ|HfONAl2O3|high-k|gate insulator|ECR|plasma|HfONAl2O3

要約(日本語): MOSFETの極微細化に伴うSiO₂系ゲート絶縁膜の極薄膜化に対応するため、高誘電率ゲート絶縁膜に関する研究が盛んに行われている。近年主流となりつつあるHfO₂系高誘電率ゲート絶縁膜の現状における課題は、熱処理プロセスにより低誘電率界面層が形成される点、従来のSiO₂系ゲート絶縁膜を用いた場合と比較してMOSFETにおける移動度が低下する点などがあげられる。

本研究では、高密度かつ低ダメージなプラズマであるECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマプロセスにより、高品質なHfO_xN_y系ゲート絶縁膜の形成に関する検討を行ったので報告する。

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