IGBTを用いた高速高電圧スイッチ回路の特性

カテゴリ: 部門大会

論文No: GS2-4

グループ名: 【C】平成19年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集

発行日: 2007/09/04

タイトル(英語): Fast high voltage switch based on IGBTs

著者名: 岡本 明(近畿大学),綾田 真志(近畿大学),山田 誠(近畿大学),中野 人志(近畿大学),中山 斌義(近畿大学)

著者名(英語): Akira Okamoto(Kinki University),Masashi Ayata(Kinki University),Makoto Yamada(Kinki University),Hitoshi Nakano(Kinki University),Takeyoshi Nakayama(Kinki University)

キーワード: IGBT|高速高電圧スイッチ|容量容量|IGBT|fast high-voltage switch|capacitance

要約(日本語): 本研究は、レーザー変調器などに使用される高速高電圧スイッチの開発を目的としスイッチング素子としてIGBTを用いた。
高電圧を得るために複数のIGBTを直列に縦列接続した。最初に動作させるIGBTのみトランジスタ回路を使用した。２段目以降のIGBTのゲート端子にそれぞれコンデンサを接続し、容量値を変化させることによって、各々のIGBTのスイッチ速度をばらつきなく、より高速にスイッチさせた。本研究では、容量値の決定方法などついて検討した

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